方法二，使用环氧树脂薄膜作为芯片贴合剂。这种方法需要改变原材料，用环氧树脂薄膜胶带替代传统的蓝膜（如SPV224）。下图是使用环氧树脂薄膜胶替代蓝膜后装片工序的情形，装片完成后，环氧树脂薄膜就已经和芯片粘在了一起，在贴片工序时我们只需要将芯片贴到引线框架上，不再需要在引线框架涂一层液态环氧树脂，这就大大简化了工艺。工艺流程如下：     

        采用上述两种方法来实现TSOP2+1封装都是可行的。对比以上两种工艺，我们可以发现第二种工艺流程少了两次烘烤，方法二生产工艺简单、生产周期更短，而且，由于多次烘烤会造成引线框架氧化及芯片粘污，烘烤次数减少对提高成品率和减少可靠性失效也很有好处。    将方法二简化，于是就得到了另一种实现两层芯片叠层封装的方法，即TSOP2+0，采用环氧树脂薄膜作为芯片贴合剂，将两个芯片错开一点位置留出焊区域，仅一端有焊线。    方法三，如果我们使用的设备可以同时完成多次贴片，那么实际的贴片工序就更加简单，即只有一次，这样它的生产工艺甚至比单芯片封装还简单。但是这种方法需要改变晶圆的生产工艺，将焊盘都放置在芯片的一端。

   

    上述三种叠层芯片的封装工艺，方法一使用环氧树脂银浆，成本低，但是工艺难度很高、成品率低，即使是最简单的TSOP2+1其成品率能达到99.5%就几乎不可能再提升了，由于其工艺性差，目前不能使用在更高密度的封装中。方法二中虽然环氧树脂薄膜成本高，但是由于环氧树脂薄膜是在装片(W/M)的时候粘贴到芯片背面，不必考虑液态环氧树脂工艺的复杂性，所以工艺简单、成品率可达99.9%。方法三由于只有两次贴片(D/A)、一次引线键合(W/B)，所以不仅工艺简单、成品率高，可以稳定在99.90%以上，而且成本相对也比较低。如果我们将成品率与成本相结合，最好的方法显然是第三种，成本最低、工艺最简单。但是，这种工艺有其局限性，需要改变芯片的制作布局，将焊盘布置在芯片的一端，如果晶圆的布线无法做到，则无法实现。    第二、第三种方法都可以用于更高密度的封装中，TSOP4+0、TSOP5+0、TSOP4+3等都是在TSOP2+X基础上发展起来的。    多芯片封装与单芯片封装的主要区别    单芯片和叠层芯片封装的主要区别可以简单归纳为：    1.由于我们需要将多个芯片叠加在一起，所以传统的单芯片的封装必须进行改进以适应叠层芯片封装，需要重复贴片(D/A)以引线键合(W/B)。    2.由于封装体的外形尺寸没有变化，为了实现多芯片叠加，芯片的厚度就需要减薄，通常其厚度是单芯片的1/n(n是指堆叠层数)。    3.叠层芯片的晶圆尺寸通常都在200mm以上，为了降低芯片生产成本，目前几乎都采用300mm工艺，由于晶圆尺寸大、芯片的厚度又很薄，引进更先进的设备就成为了必需。    4.由于需要多次的贴片(D/A)及引线键合(W/B)，所以贴片(D/A)及引线键合(W/B)的工艺比以往要复杂。