功率型蓝光LED芯片的主流技术

      中村修二的确做了好大的贡献,蓝光LED的研发功十多年来,蓝光LED的产品已经大大改变了我们的生活。当然,如果让LED照明进到千家万户,还需要一点时间。过去的经验就是,LED的发展比预测的数据还要快。我们拭目以待。
现在跟大家分享一下功率型蓝光LED芯片的主流技术,要达到照明量级,一定要功率型的。
1。传统正装LED芯片
      传统芯片是在小芯片的基础上发展起来的,40Mil的芯片分别有两个正极和负极焊盘,封装时候需要4根金线。传统芯片在提高亮度上面一般采用了表面粗化和ITO技术,这两种技术大大提高了裸芯片的亮度,但是牺牲了LED芯片的可靠性,许多测试结果和用家已经证实。
2。垂直结构芯片
      垂直结构其一就是Cree的SiC基底的芯片,这是Cree的独家生意,性能好,价格高,暂不评论。另外最新的技术就是以旭明为代表的激光剥离技术实现的垂直结构芯片。这种芯片的出光的确提高了,但是良率到底是多少,一直没有很好的数据支持。当然也希望该技术尽快提高,实现更好性价比。
3。倒装芯片
      倒装芯片同以上两种最大的不同就是光出射的方向,是从蓝宝石基底一侧出射,而不是从GaN一侧。蓝宝石的折射率比GaN低,所以芯片的外量子效率高于从GaN一侧出射的情形。功率型芯片的散热就逐渐成为一个瓶颈,同传统的正装芯片比较,以250um厚的硅为基底的倒装芯片,整个倒装芯片的热组只有正装芯片的一半,所以倒装技术更支持芯片向超大功率发展。